半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山田卓二 , 田中光雄 , 中野晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-166622
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045343
出願日： 2009年07月15日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

【課題】エンハンスメントモードトランジスタを作製する方法を提供する。【解決手段】基板1上の第1活性層3と、第1活性層3の上に、該第1活性層3に比較して高いバンドギャップを有する第2活性層4配設し、実質的にGaを含まないで少なくともAlを含む第2活性層4と、第2活性層4の少なくとも一部の上のゲート絶縁層5であって、第2活性層4の少なくとも一部を熱酸化して形成されたゲート絶縁層5と、ゲート絶縁層5の少なくとも一部の上のゲート電極6と、第2活性層4の上のソース電極7およびドレイン電極8とを含み、前記半導体デバイス10は、更に、動作時でゲート電極6とソース電極7が同電圧の場合、第1活性層3と第2活性層4の間で、ゲート電極6の外側でゲート電極6の位置以外に、2次元電子ガス2DEG層を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板(1)上の第1活性層(3)と、第1活性層(3)の上の第2活性層(4)であって、第2活性層(4)は第1活性層(3)に比較して高いバンドギャップを有し、実質的にGaを含まないで少なくともAlを含み、動作時に、第1活性層(3)と第2活性層(4)の間の界面の少なくとも一部の上に2次元電子ガス(2DEG)層(9)が存在する第2活性層(4)と、第2活性層(4)の少なくとも一部の上のゲート絶縁層(5)と、ゲート絶縁層(5)の少なくとも一部の上のゲート電極(6)と、第2活性層(4)の上のソース電極(7)およびドレイン電極(8)と、を含み、ゲート絶縁層(5)は第2活性層(4)の少なくとも一部の熱酸化により形成された熱酸化物であり、これにより、第2活性層の上部を消費して第2活性層の厚みを減らし、2DEGを部分的に空乏化した半導体デバイス(10)。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T

Fターム (57件)：

5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR09 , 5F102GS04 , 5F102GV06 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F102HC21 , 5F110BB13 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG44 , 5F110HK06 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F140AA00 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA09 , 5F140BA17 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD18 , 5F140BE07 , 5F140BF43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ06 , 5F140CC01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化物半導体系電界効果トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-106333 出願人：三菱電機株式会社
窒化物含有半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-207409 出願人：株式会社東芝
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-353057 出願人：日本電信電話株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"Characteristics of Al2O3/AllnN /GaN MOSHEMT"

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