特許
J-GLOBAL ID：201003094683549321

Cu-Ga合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者：
松村 仁実

松村 仁実 について

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南部 旭

南部 旭 について

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得平 雅也

得平 雅也 について

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岡本 晋也

岡本 晋也 について


出願人/特許権者：
株式会社コベルコ科研

株式会社コベルコ科研 について


代理人 (5件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰 ,  植木 久彦 ,  竹岡 明美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-061280
公開番号（公開出願番号）：特開2010-265544
出願日： 2010年03月17日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】膜の成分組成の均一性(膜均一性)に優れたCu-Gaスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるCu-Ga合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Gaを含むCu基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が10μm以下であり、かつ気孔率が0.1%以下であることを特徴とするCu-Ga合金スパッタリングターゲット。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
Gaを含むCu基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が10μm以下であり、かつ気孔率が0.1%以下であることを特徴とするCu-Ga合金スパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ,  C22C 9/00 ,  B22F 9/08 ,  B22F 3/15
FI (4件)：
C23C14/34 A ,  C22C9/00 ,  B22F9/08 A ,  B22F3/15 M
Fターム (27件)：
4K017AA04 ,  4K017BA05 ,  4K017BB18 ,  4K017CA07 ,  4K017DA09 ,  4K017EB03 ,  4K017EB21 ,  4K017FA05 ,  4K017FA09 ,  4K017FA15 ,  4K017FA23 ,  4K018AA04 ,  4K018BA02 ,  4K018BB04 ,  4K018CA50 ,  4K018EA16 ,  4K018FA06 ,  4K018KA29 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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