特許
J-GLOBAL ID:201003094683549321
Cu-Ga合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
植木 久一
, 菅河 忠志
, 伊藤 浩彰
, 植木 久彦
, 竹岡 明美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-061280
公開番号(公開出願番号):特開2010-265544
出願日: 2010年03月17日
公開日(公表日): 2010年11月25日
要約:
【課題】膜の成分組成の均一性(膜均一性)に優れたCu-Gaスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるCu-Ga合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Gaを含むCu基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が10μm以下であり、かつ気孔率が0.1%以下であることを特徴とするCu-Ga合金スパッタリングターゲット。【選択図】図2
請求項(抜粋):
Gaを含むCu基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が10μm以下であり、かつ気孔率が0.1%以下であることを特徴とするCu-Ga合金スパッタリングターゲット。
IPC (4件):
C23C 14/34
, C22C 9/00
, B22F 9/08
, B22F 3/15
FI (4件):
C23C14/34 A
, C22C9/00
, B22F9/08 A
, B22F3/15 M
Fターム (27件):
4K017AA04
, 4K017BA05
, 4K017BB18
, 4K017CA07
, 4K017DA09
, 4K017EB03
, 4K017EB21
, 4K017FA05
, 4K017FA09
, 4K017FA15
, 4K017FA23
, 4K018AA04
, 4K018BA02
, 4K018BB04
, 4K018CA50
, 4K018EA16
, 4K018FA06
, 4K018KA29
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA21
, 4K029BC03
, 4K029BD00
, 4K029DC04
, 4K029DC07
, 4K029DC34
, 4K029DC39
引用特許:
前のページに戻る