特許
J-GLOBAL ID：201003094782598547
III族窒化物電子デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-267792
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045416
出願日： 2009年11月25日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：
【課題】低損失な窒化ガリウム系電子デバイスを提供する。【解決手段】III窒化物系ヘテロ接合トランジスタ11aでは、第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N層15は、第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層13aとヘテロ接合21を成す。第1の電極17は、第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層13aにショットキ接合を成す。第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層13a及び第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N層15は、基板23上に設けられている。電極17a、18a、19aは、それぞれ、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を含む。第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層13aの炭素濃度NC13は1×1017cm-3未満である。第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N層15の転位密度Dが1×108cm-2である。ヘテロ接合21により、二次元電子ガス層25が生成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N(0<X1<1、0≦X2<1、0<X1+X2<1)層と、
前記第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層とヘテロ接合を成す第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N(0≦Y1<1、0≦Y2<1、0≦Y1+Y2<1)
層と、
前記第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層上に設けられた第1の電極と、
前記第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層上に設けられた第2の電極と、
基板と
を備え、
前記第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N層は前記基板上に設けられ、
前記基板は、1×108cm-2以下の転位密度を有するGaN基板、1×108cm-2以下の転位密度を有するAlN基板、1×108cm-2以下の転位密度を有するAlGaN基板、1×108cm-2以下の転位密度を有するInGaN基板、及び1×108cm-2以下の転位密度を有するGaNテンプレートのいずれかであり、
前記第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層は前記第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N層上にあり、
前記第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層のバンドギャップは前記第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N層のバンドギャップより大きく、
前記第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層と前記第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N層との前記ヘテロ接合に二次元電子ガス層が生成され、
前記第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層はノンドープであり、
前記第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N層はノンドープであり、
前記第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層の炭素濃度は1×1017cm-3未満であり、
前記第2のAlY1InY2Ga1-Y1-Y2N層の転位密度が1×108cm-2未満であり、
前記第1の電極は、前記第1のAlX1InX2Ga1-X1-X2N層にショットキ接合を成す、ことを特徴とするIII族窒化物電子デバイス。
IPC (5件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 29/47
, H01L 29/872
H01L29/80 H
, H01L29/48
, H01L29/48 D
4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104CC03
, 4M104GG03
, 5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102HC01
, 5F102HC21
