特許

J-GLOBAL ID：201003094921846267

フォトレジストパターン上にコーティングするためのラクタム含有組成物

発明者： シヤガラジャン・ムティアー ,  ダンメル・ラルフ・アール ,  カオ・イ ,  ホン・スンエウン ,  カン・ウェンビン ,  アンヤディーグウー・クレメント
出願人/特許権者： エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション
代理人 (5件)： 江崎 光史 ,  奥村 義道 ,  鍛冶澤 實 ,  上西 克礼 ,  虎山 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-502606
公開番号（公開出願番号）：特表2010-524040
出願日： 2008年04月09日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：

本発明は、構造(1)のラクタム基を含むポリマーを含む、フォトレジストパターンを被覆するための水性コーティング組成物に関する。式中、R1は独立して水素、C1〜C4アルキル、C1〜C6アルキルアルコール、ヒドロキシ(OH)、アミン(NH2)、カルボン酸及びアミド(CONH2)から選択され、は、ポリマーへの結合を表し、mは1〜6であり、そしてnは1〜4である。 また本発明は、微細電子デバイスの製造方法にも関する。

請求項（抜粋）：

フォトレジストパターンを被覆するための水性コーティング組成物であって、少なくとも一つのラクタム基を含むポリマーを含み、ここで前記ポリマーに結合するラクタム基が構造(1)を有する、前記水性コーティング組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/039 ,  C08L 39/04 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/039 601 ,  C08L39/04 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 573

Fターム (38件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  2H125AM57N ,  2H125AM58N ,  2H125CA12 ,  2H125CB08 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J002BE022 ,  4J002BG012 ,  4J002BJ001 ,  4J002CC213 ,  4J002CM012 ,  4J002EN026 ,  4J002EN046 ,  4J002EN106 ,  4J002EU108 ,  4J002EU136 ,  4J002EU188 ,  4J002EV237 ,  4J002FD143 ,  4J002FD148 ,  4J002FD312 ,  4J002FD317 ,  4J002GP03 ,  4J002HA06 ,  5F046LB06 ,  5F046LB07 ,  5F046NA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターン形成用コーティング組成物の製造方法及び半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-110169   出願人：三星電子株式会社
• 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-115872   出願人：AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社
• パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-135458   出願人：東京応化工業株式会社