特許
J-GLOBAL ID：200903065850422710

水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法

発明者：
西 部 剛 史

西 部 剛 史 について

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洪 聖 恩

洪 聖 恩 について

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高 野 祐 輔

高 野 祐 輔 について

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岡 安 哲 雄

岡 安 哲 雄 について


出願人/特許権者：
AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社

AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 について


代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-115872
公開番号（公開出願番号）：特開2005-300853
出願日： 2004年04月09日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 ArF対応感放射線性樹脂組成物により形成されたレジストパターンに被覆層をほどこし、レジストパターンの幅を広げてトレンチパターンやホールパターンを実効的に微細化することのできるパターン形成方法で用いられる水溶性樹脂組成物において、レジストパターン層の寸法縮小量を従来技術よりも更に増大させ、さらに粗密レジストパターンによる寸法縮小量依存性を低減させる水溶性樹脂組成物と、それを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】 ArFエキシマレーザー照射に適用可能の上記パターン形成方法で使用される水溶性樹脂組成物が、水溶性樹脂、加熱により酸を発生する発生剤、界面活性剤、架橋剤、および水を含有する溶媒を含んでなる水溶性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ArF対応感放射線性樹脂組成物により形成されたレジストパターン上へ被覆層を形成させ、加熱し、レジストパターン近傍の被覆層を変性被覆層に転化させ、レジストパターンを変性被覆層で被覆することによって、エッチング後のレジストパターンの実効サイズを縮小することのできる半導体製造プロセスにおいて使用される、水溶性樹脂、加熱により酸を発生することのできる酸発生剤、架橋剤、および水を含有する溶媒を含んでなることを特徴とする水溶性樹脂組成物。
IPC (2件)：
G03F7/40 ,  H01L21/027
FI (2件)：
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R
Fターム (8件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  2H096LA30
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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