特許

J-GLOBAL ID：201003094962465804

スピン緩和変動方法、スピン流検出方法、及び、スピン緩和を利用したスピントロニクスデバイス

発明者： 安藤 和也 ,  針井 一哉 ,  捧 耕平 ,  齊藤 英治
出願人/特許権者： 学校法人慶應義塾
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008054733
公開番号（公開出願番号）：WO2008-123023
出願日： 2008年03月14日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

スピン緩和変動方法、スピン流検出方法、及び、スピン緩和を利用したスピントロニクスデバイスに関し、スピン流の注入によりスピン緩和を変動させる。 特定のスピン状態にある部材1にスピン流4を注入してスピン緩和時間を制御する。

請求項（抜粋）：

特定のスピン状態にある部材にスピン流を注入してスピン緩和時間を制御するスピン緩和変動方法。

IPC (4件)：

H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (51件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD47 ,  4M119DD55 ,  4M119EE03 ,  4M119EE04 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE29 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ15 ,  5F092AA01 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC26 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB82 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BD03 ,  5F092BD13 ,  5F092CA20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375089   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-181979   出願人：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学
• 演算素子およびその製造方法、ならびに演算装置および演算方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-259028   出願人：ソニー株式会社