酸化亜鉛系半導体の成長方法及び半導体発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：藤村元彦 , 高野信司 , 永岡重幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-236922
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073749
出願日： 2008年09月16日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【目的】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 MOCVD法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、(a)250°C〜450°Cの範囲内の第1の低成長温度及び1kPa〜30kPaの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第1の単結晶層を形成するステップと、(b)上記第1の低成長温度よりも高い第2の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第1の単結晶層上に第2の単結晶層を形成するステップと、(c)高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第2の単結晶層上に第3の単結晶層を形成するステップと、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

MOCVD法により基板上に酸化亜鉛系半導体層を結晶成長する方法であって、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、 (a)250°C〜450°Cの範囲内の第1の低成長温度及び1kPa〜30kPaの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第1の単結晶層を形成するステップと、 (b)前記第1の低成長温度よりも高い第2の低成長温度及び前記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って前記第1の単結晶層上に第2の単結晶層を形成するステップと、 (c)高成長温度及び前記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って前記第2の単結晶層上に第3の単結晶層を形成するステップと、を有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/365 , C23C 16/40 , H01L 33/28

FI (3件)：

H01L21/365 , C23C16/40 , H01L33/00 D

Fターム (51件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA21 , 4K030BA42 , 4K030BA47 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030LA13 , 5F041AA40 , 5F041AA42 , 5F041CA04 , 5F041CA41 , 5F041CA65 , 5F041CA92 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB22 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA55 , 5F045EF05

引用特許：

出願人引用 (5件)

特許第3424814号公報
化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-154904 出願人：信越半導体株式会社
特許第3859148号公報

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審査官引用 (2件)

ZnO薄膜を有する材料及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-267114 出願人：理化学研究所
化合物半導体の製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-115466 出願人：スタンレー電気株式会社

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