特許
J-GLOBAL ID：201003097048305580
固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-285909
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114275
出願日： 2008年11月06日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
【課題】画素サイズの微細化が可能であると共に、飽和電荷量(Qs)が増加され、感度の向上が図られた固体撮像装置、及び固体撮像装置の駆動方法を提供するものである。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。【解決手段】半導体基板10内の異なる深さに、第1導電型不純物領域と第2導電型不純物領域との接合面を有して複数形成されたフォトダイオードPDを有する。また、深さ方向に形成されたフォトダイオードPDに蓄積された信号電荷を読み出す縦型トランジスタTrを有する。また、本発明の固体撮像装置は、フォトダイオードPDへの電荷蓄積時に、複数のフォトダイオード(例えば、第1のフォトダイオードPD1と第2のフォトダイオードPD2)間、及びフォトダイオードPDとフローティングディフュージョン領域16との間を接続するオーバーフローパス21を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板内の異なる深さに、第1導電型不純物領域と第2導電型不純物領域との接合面を有して複数形成されたフォトダイオードと、
前記半導体基板の表面から深さ方向にゲート絶縁膜を介して形成された縦型の電荷読み出しゲート電極と、前記複数のフォトダイオードから読み出された信号電荷を転送する転送チャネルと、前記転送チャネルにより転送された信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョン領域とから構成される縦型トランジスタと、
フォトダイオードへの電荷蓄積時に、前記複数のフォトダイオード間、及び前記フォトダイオードと前記フローティングディフュージョン領域との間を接続するオーバーフローパスと、
を有する固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AA01
, 4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA19
, 4M118FA33
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GX18
, 5C024GY31
, 5C024HX01
出願人引用 (1件)
-
固体撮像装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-028353
出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (5件)
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