特許

J-GLOBAL ID：201003097522875066

電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法

発明者： 生田 哲也 ,  清水 成 ,  柴田 智彦
出願人/特許権者： DOWAエレクトロニクス株式会社
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  高梨 玲子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-063185
公開番号（公開出願番号）：特開2010-183093
出願日： 2010年03月18日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板と前記III族窒化物積層体との間に、絶縁層としてのバッファをさらに具え、前記バッファは、1×1018/cm3以上のCを含む超格子多層構造からなる積層体を有し、前記Si単結晶基板はp型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、 前記Si単結晶基板と前記III族窒化物積層体との間に、絶縁層としてのバッファをさらに具え、 前記バッファは、1×1018/cm3以上のCを含む超格子多層構造からなる積層体を有し、 前記Si単結晶基板は、0.01Ω・cm以下の比抵抗値を有するp型基板であることを特徴とする電子デバイス用エピタキシャル基板。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L29/80 H ,  C23C16/34

Fターム (35件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA11 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA57 ,  5F045EE17 ,  5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-000802   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体素子形成用板状基体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-398669   出願人：サンケン電気株式会社