特許
J-GLOBAL ID：200903049021124324

半導体電子デバイス

発明者：
加藤 禎宏

加藤 禎宏 について

, 
佐藤 義浩

佐藤 義浩 について

, 
岩見 正之

岩見 正之 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-000802
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171843
出願日： 2007年01月05日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】ウェハの反りを抑制しつつ、リーク電流を一層低減させることができる半導体電子デバイスを提供すること。【解決手段】基板1上にバッファ層2,3を介して積層された半導体動作層4を備える電界効果トランジスタ100において、バッファ層3は、Al組成が0.2以下の窒化物系化合物半導体を用いて形成された第1の層11上に、Al組成が0.8以上の窒化物系化合物半導体を用いて形成された第2の層12が積層された複合層10を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を介して積層された化合物半導体層を備える半導体電子デバイスにおいて、 前記バッファ層は、Al組成が0.2以下の窒化物系化合物半導体を用いて形成された第1の層上に、Al組成が0.8以上の窒化物系化合物半導体を用いて形成された第2の層が積層された複合層を有することを特徴とする半導体電子デバイス。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 618E
Fターム (65件)：
5F045AA04 ,  5F045AB19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DA59 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F110AA06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BA17 ,  5F140BB15 ,  5F140BC05 ,  5F140BC06 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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