封入能力を有するマイクロミラーアクチュエータ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人三澤特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-540596
公開番号（公開出願番号）：特表2010-512548
出願日： 2007年12月11日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：

本発明は、マイクロミラーアクチュエータ及び対応するアクチュエータに関する。この方法によると、アクチュエータは、中間層102、104、106によって互いから少なくとも部分的に電気的に絶縁される少なくとも3つの主要層101、103、107の層構造から製造される。層は、マイクロミラー素子及び電極を形成するように構造化され、この構造化は、少なくとも上側の主要層107から成る閉鎖フレーム310をアクチュエータの内側領域の周りに形成することによって達成され、このフレームにカバープレートを適用することによって内側領域を気密封入することを可能にする。導体経路平面105が、層のうちの少なくとも2つの間に生成され、中間層によって当該層から電気的に絶縁され、且つ、導体トラックを形成するように構造化され、この導体トラックによって、中間層102、104、106のうちの1つ又は複数に接触開口を形成した後で、電極のうちの1つ又は複数に、フレーム310の外側から電気的に接触することができる。上記方法によって、アクチュエータの内側領域の気密封止された封入を、ウェハレベルでさえも簡単に達成することができる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

内側領域に、少なくとも1つの可動マイクロミラー素子と、該マイクロミラー素子を起動する、互いに高さがずらされている複数の指形又は櫛形の電極とを有するマイクロミラーアクチュエータを製造する方法であって、少なくとも3つの主要層(101、103、107)から成る層構造を生成し、該少なくとも3つの主要層を、中間層(102、104、106)によって互いから少なくとも部分的に電気的に絶縁し、且つ前記マイクロミラー素子及び前記電極を形成するように設計及び構造化し、前記層の構造化を、閉鎖フレーム(310)が少なくとも前記最上層(107)から得られるように行い、該閉鎖フレームは、前記アクチュエータの前記内側領域を包囲すると共に、該フレーム(310)上にカバープレートを適用することによって前記内側領域の気密封入を可能にし、また、前記層構造の生成中に、前記中間層によって前記主要層から電気的に絶縁される導体レベル(105)を、前記主要層のうちの少なくとも2つの間に生成すると共に導体経路を形成するように構造化し、該導体経路を介して、前記中間層(102、104、106)のうちの1つ又は複数に接触開口を形成した後で、前記電極の1つ又は複数に、前記フレーム(310)の外側から電気的に接触することができる、方法。

IPC (3件)：

G02B 26/08 , B81B 3/00 , B81C 1/00

FI (3件)：

G02B26/08 E , B81B3/00 , B81C1/00

Fターム (30件)：

2H141MA12 , 2H141MB24 , 2H141MC07 , 2H141MD13 , 2H141MD16 , 2H141MD20 , 2H141MG01 , 2H141MG06 , 2H141MG08 , 2H141MZ19 , 2H141MZ25 , 2H141MZ28 , 2H141MZ30 , 3C081BA07 , 3C081BA28 , 3C081BA30 , 3C081BA44 , 3C081BA47 , 3C081BA53 , 3C081CA02 , 3C081CA05 , 3C081CA14 , 3C081CA15 , 3C081CA26 , 3C081CA33 , 3C081DA04 , 3C081DA22 , 3C081DA26 , 3C081DA29 , 3C081EA08

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体容器形成方法と半導体基板積載圧電体振動子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-094534 出願人：セイコーエプソン株式会社
光走査装置及び光走査装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-068028 出願人：株式会社リコー
マイクロ構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-310314 出願人：富士通株式会社, 富士通メディアデバイス株式会社

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