特許
J-GLOBAL ID：201003098475070433
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
須山 佐一
, 須山 英明
, 川原 行雄
, 山下 聡
, 熊井 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-220112
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219489
出願日： 2009年09月25日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】安価で歩留まりが高く、接続信頼性が高く、半導体チップの電極が微細ピッチにも対応できる電気特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置20は、平板1と、前記平板の一方の面に配置され、素子回路面と反対側の面が固着された半導体チップ2と、前記半導体チップの前記素子回路面上および前記平板の前記主面上に連接して形成された一層の絶縁材料層4と、前記絶縁材料層において、前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上に形成された開口と、前記半導体チップの前記電極と接続されるように前記開口内に形成された導電部と、この導電部と接続され、かつ一部が前記絶縁材料層上で前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層5と、前記配線層上に形成された外部電極7とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
平板と、
前記平板の一方の主面に配置され、素子回路面と反対側の面が固着された半導体チップと、
前記半導体チップの前記素子回路面上および前記平板の前記主面上に連接して形成された、前記平板とは異なる材料からなる単層の絶縁材料層と、
前記絶縁材料層において、前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上に形成された開口と、
前記半導体チップの前記電極と接続されるように前記開口内に形成された導電部と、
前記絶縁材料層上に前記導電部と接続されるように形成され、一部が前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層と、
前記配線層上に形成された外部電極と
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 25/10
, H01L 25/18
H01L23/12 501S
, H01L23/12 501P
, H01L25/10 Z
