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J-GLOBAL ID：201902237445250980   整理番号：19A0155914

人工光合成の実用化研究最前線 高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性:人工光合成

著者 (1件)： 加藤正史 (Nagoya Inst. Technol.)
資料名： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
巻： 54  号： 1  ページ： 36-39  発行年： 2019年01月01日 
JST資料番号： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・人工光合成は光エネルギーを貯蔵可能な化学エネルギーに変換する技術であり,使用する半導体光触媒には化学的安定性が要求されるが,本稿では人工光合成向けの高耐性セラミックSiCについて解説。
・人工光合成において重要な光電流を最も多く得られるポリタイプはp型の3C-SiCであり,Pt助触媒を形成したpn接合3C-SiC光陰極と水分解反応について説明。
・高品質結晶によるSiC光陰極は従来のSiCを大幅に超える特性を有するが,太陽光-水素エネルギー変換効率の理論値に比して一桁程度低く,さらに向上させるための取り組みを紹介。
・助触媒としてPtを用いて0.5%のエネルギー変換効率が得られ,pn接合の形成と助触媒の使用により変換効率は0.7%まで向上。

シソーラス用語： 光合成 ,  *光触媒反応 ,  *光触媒 ,  安定性 ,  *炭化ケイ素 ,  光電流 ,  ポリタイプ ,  P型半導体 ,  化合物半導体 ,  PN接合 ,  助触媒 ,  白金 ,  光電陰極 ,  エネルギー変換効率 ,  機能性セラミック ,  耐性 ,  人工光合成 ,  3C-炭化ケイ素
準シソーラス用語： 3C-SiC

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

引用文献 (14件)：

• M. Kato, M. Ichimura and E. Arai, Jpn. J. Appl. Phys., 40, L1145-L1147 (2001).
• T. Yasuda, M. Kato, M. Ichimura and T. Hatayama, Appl. Phys. Lett., 101, 053902 (2012).
• M. Kato, T. Yasuda, K. Miyake, M. Ichimura and T. Hatayama, Int. J. Hydrogen Energy, 39, 4845-4849 (2014).
• M. Kato, K. Miyake, T. Yasuda, M. Ichimura, T. Hatayama and T. Ohshima, Jpn. J. Appl. Phys., 55, 01AC02 (2016).
• N. Ichikawa, M. Kato and M. Ichimura, Appl. Phys. Express, 8, 091301 (2015).

タイトルに関連する用語 (8件)： 人工光合成 ,  実用化 ,  研究 ,  耐性 ,  セラミックス ,  SiC ,  応用 ,  可能性