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J-GLOBAL ID：201102209544481980   整理番号：11A0467164

強誘電体ゲートのためのSr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉およびSr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉-BaZrO₃を用いた金属-強誘電体-絶縁体-半導体構造の特性評価

Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using Sr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉ and Sr _0.8Bi_2.2Ta₂O₉-BaZrO₃ for ferroelectric gates

著者 (5件)： BOZGEYIK M.S. (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SHINOZAKI K. (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  CROSS J.S. (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  ISHIWARA H. (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  BOZGEYIK M.S. (Kahramanmaras Sutcu Imam Univ., Kahramanmaras, TUR)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 87  号： 11  ページ： 2173-2177  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体 ,  ゲート ,  金属-強誘電体-絶縁体-半導体構造 ,  特性評価