文献

J-GLOBAL ID：201102212048570760   整理番号：11A1135130

高純度めっき材料を用いた低抵抗率Cu配線形成プロセスの8インチウエハによる検証

Investigation of the Low Resistivity Cu Wire Formation in the 8 Inch Wafer Using Ultra-High Purity Plating Materials

著者 (7件)： 田代優 (茨城大学工学部マテリアル工学科) ,  門田裕行 (日立協和エンジニアリング株式会社デバイスシステムセンタ) ,  伊藤雅彦 (茨城大学工学部マテリアル工学科) ,  打越雅仁 (東北大学多元物質科学研究所) ,  三村耕司 (東北大学多元物質科学研究所) ,  一色実 (東北大学多元物質科学研究所) ,  大貫仁 (茨城大学工学部マテリアル工学科)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 75  号： 7  ページ： 386-391 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 配線幅が100nm以下の領域では線幅の減少とともに電気抵抗率が著しく増大するため,次世代高速集積回路(LSI)の実現には,Cu配線の抵抗率を低減する技術開発が不可欠である。本研究では,技術ノード22nmレベルLSI(配線幅:45~50nm)に相当する8インチウエハへの均一めっき技術の確立および得られたCu配線の抵抗率と微細構造の評価を行い,低抵抗Cu配線作製プロセスの検証を行なった。遮蔽板の開口径と中心軸位置の調整により,Cuめっき膜厚の面内分布を±4.33%に制御できた。超高純度めっき材料を用いた幅30nmCu配線の抵抗率は,市販最高純度品を用いたCu配線よりも約30%低いことを実証した。抵抗率の低減は,結晶粒径の増大と50nm以下の結晶粒径の存在率の低減によることが分かった。

シソーラス用語： *超LSI ,  配線 ,  *銅めっき ,  電気めっき ,  幅 ,  ウエハ【IC】 ,  電気抵抗率 ,  微細構造 ,  粒径 ,  粒度分布 ,  粒度依存性 ,  高純度物質 ,  電極材料 ,  硫酸銅 ,  電極 ,  *電気抵抗 ,  めっき皮膜 ,  膜厚 ,  分布 ,  透過型電子顕微鏡 ,  粒界偏析
準シソーラス用語： 厚み分布 ,  銅電極 ,  銅配線 ,  配線幅 ,  微細組織

分類 (1件)： 電気めっき  (WC08023B)

引用文献 (17件)：

• 1) K. Hinode, Y. Hanaoka, K. Takeda and S. Kondo: Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40(2001) L1097.
• 2) W. Steinhögl, G. Schindler, G. Steinlesberger and M. Engelhardt: Phys. Rev. B 66(2002) 075414.
• 3) W. Wu, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Appl. Phys. Lett. 84(2004) 2838.
• 4) The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), (2006).
• 5) W. Wu, D. Ermur, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Microelectron. Eng. 76(2004) 190.

タイトルに関連する用語 (7件)： 高純度 ,  めっき ,  低抵抗 ,  Cu配線 ,  形成プロセス ,  ウエハ ,  検証