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J-GLOBAL ID：201102214062284862   整理番号：11A1568594

直接ウエハ接合を用いた自己整合Ni系金属S/D型InGaAs nMOSFETのCMOS集積化

CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D using direct wafer bonding

著者 (16件)： YOKOYAMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KIM S. H. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ZHANG R. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAOKA N. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  URABE Y. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TAKAGI H. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YASUDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMADA H. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  ICHIKAWA O. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  FUKUHARA N. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  HATA M. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SUGIYAMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Y. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011  ページ： 60-61  発行年： 2011年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同一のTa/Al₂O₃金属ゲート/high-κゲート積層とNi-InGaAsとNi-Ge金属ソース/ドレイン(S/D)プロセスを用いて,直接接合InGaAs/Al₂O₃/Geウエハ上へInGaAs系nMOSFETとGe系pMOSFETのCMOS集積化を初めて実現することに成功した。Ni系金属S/Dにより,単一高低S/D形成プロセスでnMOSFETとpMOSFETの同時作製を可能にした。両nMOSFETとpMOSFETの電子と正孔移動度は各々,1800と260cm²/Vsであり,Si系MOSFETより3.5倍と2.3倍高移動度であった。開発したCMOSプロセスにより,極限のCMOS構造の実現への道を切り開くことができた。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *自己整合 ,  *ニッケル ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  N型半導体 ,  *MOSFET ,  *CMOS構造 ,  *ゲート【半導体】 ,  金属材料 ,  誘電率 ,  *キャリア移動度 ,  *MOS集積回路 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： nMOSFET ,  金属ゲート ,  正孔移動度 ,  電子移動度

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： ウエハ接合 ,  自己整合 ,  Ni系金属 ,  D型 ,  InGaAs ,  nMOSFET ,  CMOS ,  集積化