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J-GLOBAL ID：201102219216263431   整理番号：11A0144649

窒化アルミニウムバルク単結晶成長

AlN Bulk Single Crystals Growth

著者 (9件)： 加藤智久 (フジクラ) ,  長井一郎 (フジクラ) ,  三浦知則 (フジクラ) ,  奥村元 (フジクラ) ,  齋藤学 (フジクラ) ,  鎌田弘之 (フジクラ) ,  高嶋秀行 (フジクラ) ,  直江邦浩 (フジクラ) ,  真田和夫 (フジクラ)
資料名： フジクラ技報  (Fujikura Technical Journal)
号： 119  ページ： 33-38  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： F0077A  ISSN： 0912-2761  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)単結晶は,パワーデバイスや深紫外発光素子として期待されているAlN系窒化物半導体の高品質化に必要な基板材料である。当社では,AlN単結晶の育成方法として昇華法(改良レリー法)を用いて実験を行った。その結果,SiC種結晶上に大型・高品質なAlNバルク単結晶を成長させることに成功した。また,AlN種結晶上にAlNバルク単結晶を高速成長させることに成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *結晶成長 ,  *窒化アルミニウム ,  単結晶 ,  昇華 ,  *材料
準シソーラス用語： *バルク材料

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (8件)：

• T. P. Cho: Mater. Sci. Forum, Vol.338/342, p.1155, 2000
• J. C. Rojo, L. J. Schowalter, K. Morgan, D. I. Florescu, F. H. Pollak, B. Raghothamachar, M. Dudley: Mater. Sci. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.680E, E2. 1. 1, 2001
• P. B. Perry, RF. Ruz: Appl. Phys. Lett., Vol.33, p.319, 1978
• Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto: Nature, Vol.441, pp. 325-328, 2006
• Y. M. Tairov, V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth, Vol.43 p.209, 1978

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化アルミニウム ,  バルク ,  単結晶成長