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J-GLOBAL ID：201102222727113269   整理番号：11A0296118

実用化プロセスにおけるプラズマ源の革新~平行平板プラズマ源から新プラズマ源へ~6.低インダクタンス内部アンテナを用いたプラズマ源の開発と反応性プラズマプロセスへの展開

著者 (2件)： 節原裕一 (大阪大 接合科研) ,  節原裕一 (JST-CREST)
資料名： プラズマ・核融合学会誌  (Journal of Plasma and Fusion Research)
巻： 87  号： 1  ページ： 24-33  発行年： 2011年01月25日 
JST資料番号： G0114A  ISSN： 0918-7928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代の大面積プロセスでは,大型の基板にわたる均一性,高スループットに加えて,基板ならびにデバイスの多様化に対応可能な低温かつ高品質(低ダメージ)のプロセスを実現するためのプラズマ生成・制御技術が求められている。本章では,次世代のメートルサイズを超える大面積プロセスをめざして開発してきたプラズマ生成・制御技術を中心に,プラズマ源の基本的な特性,有機材料プロセスへの適用性,反応性スパッタ製膜プロセスと大面積化への展望について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマ源 ,  *プラズマ生成 ,  *反応性スパッタリング ,  プラズマ処理 ,  誘導結合プラズマ ,  ナノ結晶 ,  ケイ素 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  X線光電子スペクトル ,  マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： 大面積 ,  反応性プラズマ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  プラズマ装置  (BJ02082I)

引用文献 (30件)：

• LIEBERMAN, M. A. Principles of Plasma Discharges and Materials Processing. 1994
• CHOI, M.-C. Prog. Polym. Sci. 2008, 33, 581
• NOMURAL, K. Nature. 2004, 432, 488
• NOMURAL, K. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 192107
• HOSONO, H. J. Non-Cryst. Sol. 2008, 354, 2796

タイトルに関連する用語 (9件)： 実用化 ,  プロセス ,  プラズマ源 ,  平行平板 ,  インダクタンス ,  内部アンテナ ,  開発 ,  反応性プラズマ ,  展開