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J-GLOBAL ID：201102223685067985   整理番号：11A1159939

トランジスタ性能に及ぼす信頼性ある単一原子ドーピング及び離散ドーパント効果

Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance

著者 (8件)： SHINADA Takahiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HORI Masahiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ONO Yukinori (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  TAIRA Keigo (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KOMATSUBARA Akira (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TANII Takashi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  OHDOMARI Iwao (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 592-595  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランジスタ構造における二次電子検出の改善を報告し,離散規則的/ランダムドーパント分布をもつトランジスタの作製及び性能評価を述べた。サブ閾値電流は,個々のドーパント位置に敏感であり,規則的及びランダム分布の両方の場合において,ドーパントがソース側よりも,ドレイン側に位置しているとき,常に大きかった。二次電子検出効率に及ぼす基板バイアスの影響を研究した。単位時間当たり検出される二次電子パルスは,バックゲート電圧が負に増大するにつれて増加した。単一イオン注入の信頼性ある検出及び制御は,ドープチャネルCMOS素子技術の拡張性に寄与するであろう。

シソーラス用語： *原子 ,  *ドーピング ,  ドーパント ,  *信頼性 ,  *イオン注入 ,  ゲート【半導体】 ,  CMOS構造 ,  *トランジスタ ,  スケーリング【計数】 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 単一原子 ,  バックゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： トランジスタ ,  単一原子 ,  ドーピング ,  ドーパント