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J-GLOBAL ID：201102229653345094   整理番号：11A1353892

歪み型Si_1-xGe_x/Siヘテロ接合中漏洩電流へのGe成分と埋設深さの影響

Impact of Ge Content and Recess Depth on the Leakage Current in Strained Si_1-xGe_x/Si Heterojunctions

著者 (14件)： LUQUE RODRIGUEZ Abraham (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  LUQUE RODRIGUEZ Abraham (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  BARGALLO GONZALEZ Mireia (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  BARGALLO GONZALEZ Mireia (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  ENEMAN Geert (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  ENEMAN Geert (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  ENEMAN Geert (Fonds Wetenschappelijk Onderzoek-Vlaanderen, Brussels, BEL) ,  CLAEYS Cor (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  CLAEYS Cor (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  KOBAYASHI Daisuke (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  KOBAYASHI Daisuke (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  KOBAYASHI Daisuke (Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, JPN) ,  SIMOEN Eddy (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  JIMENEZ TEJADA Juan A. (Universidad de Granada, Granada, ESP)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 8  ページ： 2362-2370  発行年： 2011年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪み型Si_1-xGe_x/Siヘテロ接合中漏洩電流へのGe成分と埋設深さの影響について調べた。実験により,Ge成分が増加するかまたは埋設深さが減小した場合,電流の増加を観測した。低電界での漏洩電流に関与した物理変数を解析した。漏洩電流に最も大きく影響する変数として,Shockley-Read-Hall(SRH)寿命を設定した。応力レベルによる埋設深さ(Si_1-xGe_x/Si厚さ)とGe成分の関数とした寿命の変化を関係付けたモデルを提案した。高駆動電流と低漏洩電流を同時に得る妥協として,40%以下のGe成分を推奨した。調べた結果から,漏洩電流の増加を説明するため,主要因としての応力レベルによるヘテロ界面近傍のSi基板中バルク欠陥の発生を示した。

シソーラス用語： ケイ素 ,  ケイ素化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *ヘテロ接合 ,  *漏れ電流 ,  PN接合 ,  *素子構造 ,  *ゲート【半導体】 ,  *ゲルマニウム ,  P型半導体 ,  *MOSFET ,  電流電圧特性 ,  バンドギャップ ,  キャリア密度 ,  電流密度
準シソーラス用語： リセス構造

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪み ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  漏洩電流 ,  Ge ,  埋設