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J-GLOBAL ID：201102233299742967   整理番号：11A1249950

EUV,Eビームと193nmリソグラフィ用無機ナノ粒子フォトレジストの開発

Development of an Inorganic Nanoparticle Photoresist for EUV, E-beam and 193nm Lithography

著者 (10件)： KRYSAK Marie (Cornell Univ., NY) ,  TRIKERIOTIS Markos (Cornell Univ., NY) ,  SCHWARTZ Evan (Cornell Univ., NY) ,  LAFFERTY Neal (Rochester Inst. Technol., NY) ,  XIE Peng (Rochester Inst. Technol., NY) ,  SMITH Bruce (Rochester Inst. Technol., NY) ,  ZIMMERMAN Paul (Intel Corp., AZ) ,  MONTGOMERY Warren (SEMATECH, NY) ,  GIANNELIS Emmanuel (Cornell Univ., NY) ,  OBER Christopher K. (Cornell Univ., NY)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7972  号： Pt.1  ページ： 79721C.1-79721C.6  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最ロバスト性ポリマ系レジストより超高エッチング耐性をもつ透明性高屈折率無機フォトレジストを開発した。有機リガンド(配位子)で修飾した酸化ハフニウムナノ粒子無機フォトレジストのリソグラフィ(リソ)性能につい詳細に調べた。193nmリソを用いた場合,50nmパターンを解像し,電子ビーム(Eビーム)リソの場合,40nm形状を得ることができた。その混成レジストは,ポリ(ヒドロキシスチレン)(PHOST)のエッチング耐性の9倍の優れたエッチング耐性を示した。ベーキングとO₂プラズマの諸前処理により,PHOSTの場合の各々43倍と68倍エッチング耐性を増すことができた。約1~2nmのナノ粒子サイズは,線端粗さ(LER)の低減可能であることを示した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  真空紫外線 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  *ナノ粒子 ,  *フォトレジスト ,  浸漬 ,  *無機材料 ,  焦点深度 ,  パターン転写 ,  *ロバスト性 ,  *透明材料 ,  屈折率 ,  ポリビニルフェノール ,  エッチング ,  プラズマ処理 ,  前処理 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  LER

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： EUV ,  ビーム ,  リソグラフィ ,  ナノ粒子 ,  フォトレジスト ,  開発