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J-GLOBAL ID：201102237649377995   整理番号：11A0908002

分子プレカーサー法により形成したp型酸化銅(I)透明薄膜の半導体特性

著者 (7件)： 鈴木達也 (工学院大 工) ,  永井裕己 (工学院大 工) ,  原広樹 (工学院大 工) ,  望月千尋 (工学院大 工) ,  鷹野一郎 (工学院大 工) ,  本田徹 (工学院大 工) ,  佐藤光史 (工学院大 工)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 91st  号： 3  ページ： 882  発行年： 2011年03月11日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 分子プレカーサー法を利用して,厚さ50nmの透明な酸化銅(I)薄膜を形成した。この酸化銅(I)薄膜は,銅(II)のEDTA錯体膜をAr気流中で短時間の熱処理で形成した。120K~室温でのホール効果測定により,この酸化銅(I)薄膜は,典型的なp型半導体であることが分かった。本研究において,化学的湿式法による酸化銅(I)の透明薄膜の形成を達成し,分子プレカーサー法がp型酸化物半導体の形成にも有効なことを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化銅 ,  Hall効果 ,  温度依存性 ,  エネルギー準位 ,  *半導体薄膜 ,  抗力係数 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  プリカーサ ,  *P型半導体

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子 ,  プレカーサー ,  酸化銅 ,  薄膜