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J-GLOBAL ID：201102252925602573   整理番号：11A1208918

電子サイクロトロン共鳴のプラズマ窒化により作製したGeN_x/Ge界面のトラップ密度

Trap density of GeN_x/Ge interface fabricated by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation

著者 (4件)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN) ,  OTANI Yohei (Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN) ,  TOYOTA Hiroshi (Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN) ,  ONO Toshiro (Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 2  ページ： 022902  発行年： 2011年07月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴により発生した窒素プラズマを用いてGe基板のプラズマ窒化により作製したSi₃N₄(7mm)/GeN_x(2mm)/Geの金属-絶縁体-半導体構造を用いてGeN_x/Ge界面性質を調べた。コンダクタンス法により測定した界面トラップ密度(D_it)が,3×10¹¹cm^-2eV^-1より小さい最小D_it値を持つ中間ギャップに近いGeバンドギャップ内で対称的に分布しているのを見出した。この結果は,SBソース/ドレイン接触の界面層および高いkのゲート誘電体として化学的および熱的にロバストなGeN_x誘電体を用いて,pおよびn-GeのSchottky障壁(SB)ソース/ドレインの金属-絶縁体-半導体の電界効果トランジスタ作製用のプロセス開発につながる可能性がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ECRプラズマ ,  *イオン窒化 ,  処理 ,  *ゲルマニウム ,  半導体 ,  *基板 ,  *MOS構造 ,  窒化ケイ素 ,  *コンダクタンス ,  密度 ,  キャリア捕獲 ,  空間分布 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  *プラズマ窒化 ,  界面トラップ密度 ,  トラップ密度

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子サイクロトロン共鳴 ,  プラズマ窒化 ,  作製 ,  Ge ,  界面 ,  トラップ密度