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J-GLOBAL ID：201102253086946110   整理番号：11A0183020

サイズ選定ArガスクラスターイオンビームによるSiのスパッタリング特性

Sputtering Properties of Si by Size-Selected Ar Gas Cluster Ion Beam

著者 (9件)： ICHIKI Kazuya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NINOMIYA Satoshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NINOMIYA Satoshi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SEKI Toshio (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SEKI Toshio (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  AOKI Takaaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  AOKI Takaaki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MATSUO Jiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUO Jiro (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 35  号： 4  ページ： 789-792  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 入射するクラスターの,1原子当りのエネルギーと大きさを変えて,ArクラスターイオンビームをSiウエハーに照射して,スパッタリングの変化と二次イオンの収率を検討した。入射クラスターイオンビームのイオンの大きさはTOF法で選定した。クラスターの1原子当りのエネルギーが減少すると,二次イオンの収率は,スパッタリング収率の減少より大きな速度で減少した。これはSiのイオン化エネルギーが,Siの表面結合エネルギーのほぼ2倍であるためである。スパッタリングのエネルギーの敷居値はSiの表面結合エネルギーより低かった。しかし,二次イオン放出の敷居値エネルギーは8eV/原子で,Siのイオン化エネルギーとほぼ同じであった。これらの所見から,条件を整えれば表面から中性のSiのみをスパッタできると考えられる。

シソーラス用語： *アルゴン ,  クラスタ ,  *サイズ効果 ,  *イオンビーム ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *スパッタリング ,  エネルギー ,  ビーム入射 ,  *二次イオン放出 ,  イオン化ポテンシャル ,  結合エネルギー ,  閾値
準シソーラス用語： *Siウエハ ,  イオン化エネルギー ,  *ガスクラスターイオンビーム ,  入射エネルギー

分類 (3件)： 電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  スパッタリング  (BK16110U) ,  イオン放出  (BM09070V)

引用文献 (12件)：

• I. Yamada, J. Matsuo, N. Toyoda, A. Kirkpatrick, Mater. Sci. Eng., R 34, 231-95(2001).
• X. Li, W. Goodhue, C. Santeufeimio, T. Tetreault, R. MacCrimmon, L. Allen, D. Bliss, K. Krishnaswami, C. Sung, Appl. Surf. Sci., 218, 250-57(2003).
• J. Song, D. Choi, W. Choi, Nucl. Instr. Meth., B 196, 275-78(2002).
• L. Rzeznik, B. Czerwinski, B. Garrison, N. Winograd, Z. Postawa, J. Phys. Chem., C 112, 521-31(2008).
• T. Aoki, J. Matsuo, G Takaoka, Nucl. Instr. Meth., B 202, 278-82(2003).

タイトルに関連する用語 (6件)： サイズ ,  選定 ,  Arガス ,  クラスターイオンビーム ,  Si ,  スパッタリング