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J-GLOBAL ID：201102255414633968   整理番号：11A1643737

低温で電子サイクロトロン共鳴プラズマ窒化により形成した高品位GeN_x層でのp型Ge基板の表面パッシベ-ション

Surface passivation of p-type Ge substrate with high-quality GeN_x layer formed by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation at low temperature

著者 (5件)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN) ,  OKAMOTO Hiroshi (Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN) ,  IWASAKI Takuro (Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN) ,  OTANI Yohei (Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN) ,  ONO Toshiro (Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 13  ページ： 132907  発行年： 2011年09月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴発生の窒素プラズマを用いたGe基板のプラズマ窒化により作製したGeN_x/p-Geの界面特性に及ぼすポストメタライゼーションアニーリング(PMA)の影響を調べた。窒化温度は最終的に得られるGeN_x/Geの界面を改良する臨界パラメータであることが分かった。室温で形成して400°CでPMA処理したGeN_x/Geは界面捕獲密度が1×10¹¹cm¹²eV^-1の界面捕獲密度に従う最良の界面特性を示す。このGeN_x/Ge界面はピン止めはずしされてGe表面のFermi準位は価電子帯端から伝導帯端に移動できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： CMOS構造 ,  *基板 ,  P型半導体 ,  *ゲルマニウム ,  電子サイクロトロン共鳴加熱 ,  イオン窒化 ,  *不動態化 ,  アニーリング【現象】 ,  温度依存性 ,  容量電圧特性 ,  界面 ,  空乏層 ,  キャリア捕獲 ,  分散【dispersion】 ,  Fermi準位 ,  ゲルマニウム化合物 ,  窒化物 ,  周波数分散 ,  窒化ゲルマニウム ,  MOS構造 ,  *改変
準シソーラス用語： プラズマ窒化 ,  *パッシベーション

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温 ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  窒化 ,  高品位 ,  Ge基板