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J-GLOBAL ID：201102255712794974   整理番号：11A0967296

Si(111)上の成長させた極性制御されたInAs{111}膜

Polarity controlled InAs{111} films grown on Si(111)

著者 (2件)： OHTAKE Akihiro (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN) ,  MITSUISHI Kazutaka (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29  号： 3  ページ： 031804  発行年： 2011年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査トンネル顕微鏡法そして高角環状暗視野走査透過電子顕微鏡法を用い,てSi(111)上のInAsヘテロエピタキシーを研究した。InAs{111}膜の成長モードおよび極性は,Si(111)表面の成長前処理に依存して,急激に変化した。In終端Si(111)-(4×1)表面上では高品質の(111)A配向InAs膜が2次元的に成長したが,Si(111)-(7×7)おおびSi(111)-(1×1)-As表面では大きな3次元InAs島が形成された。As終端Si(111)-(1×1)表面上に形成されるIn結晶にAs分子線を供給することにより2次元InAs(111)B島が形成された。In終端Si(111)上でのGaAsおよびIn_0.5Ga_0.5Asの成長実験も行ない,In含有量(すなわち,格子不整合)が増大するにつれて2次元成長がより多く促進されることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  基板 ,  *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *島状構造 ,  *結晶方位 ,  *MBE成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  成長 ,  極性 ,  InAs