文献

J-GLOBAL ID：201102259309488117   整理番号：11A0791602

微細加工用レジスト向け新素材・材料の開発

Development of Novel Resist Materials for Micro-lithographic Patterning

著者 (5件)： 森一 (和歌山県工技セ) ,  野村英作 (和歌山県工技セ) ,  細田朝夫 (和歌山県 商工観光労働部) ,  三宅靖仁 (和歌山県工技セ) ,  谷口久次 (和歌山県工技セ)
資料名： 有機合成化学協会誌  (Journal of Synthetic Organic Chemistry, Japan)
巻： 69  号： 4  ページ： 403-412  発行年： 2011年04月01日 
JST資料番号： F0383A  ISSN： 0037-9980  CODEN： YGKKAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 微細加工向けレジスト材料の設計に関する現状に触れるとともに,著者らが開発した化学増幅型レジスト材料の素材としてよく利用されているヒドロキシスチレン類の効率的な製造方法について報告した。また,デンドリマー型のネガ型,ポジ型分子性レジスト開発の成果として,フラン環を有するネガ型レジスト材料の開発,アウトガス低減を目指した新規ポジ型レジストの開発について報告した。後者ではオキサベンゾノルボルナジエンの酸触媒反応による開環反応を利用することにより,初めてサブミクロンオーダーの像形成が可能なポジ型の”Mass persistent resist”の開発に成功した。

シソーラス用語： リソグラフィー ,  パターン形成 ,  *化学増幅レジスト ,  微細加工 ,  汚染物質 ,  気体 ,  デンドリマ ,  レジスト ,  *フェノールエーテル ,  芳香族カルボン酸 ,  カルボン酸エステル ,  酸素複素環化合物 ,  フェノール類
準シソーラス用語： アウトガス ,  ネガ型レジスト ,  *フラン誘導体 ,  ポジ型レジスト

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  フラン  (CF07072V)

物質索引 (11件)： 1,2-ジメトキシ-4-ビニルベンゼン ,  2,2′-[[α-メチル-4-[α,α-ジメチル-4-[(1,4-ジヒドロ-1α,4α-エポキシナフタレン-2-イル)メトキシ]ベンジル]ベンジリデン]ビス(p-フェニレンオキシメチレン)]ビス(1,4-ジヒドロ-1α,4α-エポキシナフタレン) ,  2-ビニルフェノール ,  2-メトキシ-4-ビニルフェノール ,  2-メトキシ-5-ビニルフェノール ,  3-ビニルフェノール ,  4-ビニルピロカテコール ,  4-ビニルフェノール ,  ビス(フラン-2-カルボン酸)5-[[4-[α,α-ジメチル-4-[1,1-ビス[4-[3,5-ビス(2-フロイルオキシ)ベンジルオキシ]フェニル]エチル]ベンジル]フェノキシ]メチル]-m-フェニレン ,  ビス[3,5-ビス(3-フリルメトキシ)安息香酸][α-メチル-4-[α,α-ジメチル-4-[3,5-ビス(3-フリルメトキシ)ベンゾイルオキシ]ベンジル]ベンジリデン]ビス(p-フェニレン) ,  ベンゼン-1,3,5-トリカルボン酸1,3-ビス(3-フリルメチル)5-[4-[α,α-ジメチル-4-[1,1-ビス[4-[3,5-ビス(3-フリルメトキシカルボニル)ベンゾイルオキシ]フェニル]エチル]ベンジル]フェニル]

引用文献 (43件)：

• 岡崎信次. はじめての半導体リソグラフィー技術
• ITO, H. Digest of Technical Papers of 1982, Symposium on VLSI Technology. 1982, 86
• SEKIGUCHI, A. J. Photopolym. Sci. Technol. 2003, 16, 1
• KIM, J. H. J. Photopolym. Sci. Technol. 2004, 17, 379
• ISHIKARA, S. Japanese Patent 21787. 1999

タイトルに関連する用語 (4件)： 微細加工 ,  レジスト ,  新素材 ,  開発