文献

J-GLOBAL ID：201102260512277014   整理番号：11A0926758

28nm以細の相補型金属酸化膜半導体技術用の交差架橋Kelvin抵抗器による珪化物比接触抵抗の正確な測定

Accurate Measurement of Silicide Specific Contact Resistivity by Cross Bridge Kelvin Resistor for 28 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Technology and Beyond

著者 (3件)： OHUCHI Kazuya (Toshiba America Electronic Components, Inc., NY, USA) ,  KUSUNOKI Naoki (Toshiba America Electronic Components, Inc., NY, USA) ,  MATSUOKA Fumitomo (Toshiba America Electronic Components, Inc., NY, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 4,Issue 2  ページ： 04DA03.1-04DA03.6  発行年： 2011年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 素子パターンが縮小するにつれ,高性能炭素相補型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの実現における寄生抵抗の低下が避けられない。特に,ソース/ドレイン電極における珪化物下の珪化物層と珪素拡散層の間の比接触抵抗の低下が益々重大になってきた。本論文では,最先端の28nm技術の実験評価と比接触抵抗の正確な測定に焦点を合わせた。三次元技術計算機支援設計シミュレーションにより比接触抵抗の測定確度を調べた。結果は提案した修正交差架橋Kelvin抵抗器を用いて得た比接触抵抗測定分解能が10^-9Ωcm²に広がったことを確認した。また,28nm技術に完全に応用できる交差架橋Kelvin抵抗器の試験構造を用いて,28nm技術がソース/ドレイン電極におけるn⁺及びp⁺珪素拡散層に対してそれぞれ1.1×10^-8及び7.8×10^-9Ωcm²を実現することを実験により見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  CMOS構造 ,  抵抗器 ,  ケイ化物 ,  *接触抵抗 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  計算機シミュレーション ,  精度 ,  分解能 ,  半導体プロセス ,  回路パターン形成 ,  *精密測定 ,  CMOS
準シソーラス用語： 相補型金属酸化膜半導体 ,  Kelvin抵抗器 ,  *比接触抵抗 ,  金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ ,  測定確度 ,  *CMOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (23件)：

• 1) H.-W. Chen, C -H Ko, T -J Wang, C -H Ge, K Wu, and W.-C. Lee: Abstr. Symp. VLSI Technology, 2007, p. 118.
• 2) K. K. Ng and W T. Lynch: IEEE Trans. Electron Devices 34 (1987) 503.
• 3) A. Hokazono, K. Ohuchi, K Miyano, I. Mizushima, Y Tsunashima, and Y. Toyoshima: IEDM Tech Dig., 2000, p 243.
• 4) S. -D. Kim, C -M. Park, and J. C. S. Woo: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 467.
• 5) S. -D. Kim, C -M. Park, and J. C S. Woo. IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 457.

タイトルに関連する用語 (6件)： 相補型金属酸化膜半導体 ,  交差 ,  架橋 ,  抵抗器 ,  珪化物 ,  比接触抵抗