高周波マグネトロンスパッタリングにより成長させたNiO薄膜の抵抗スイッチング特性に及ぼす周囲気体圧力の効果

SEONG Tae-Geun; KIM Jin-Seong; CHO Kyung-Hoon; YANG Min Kyu; KIM Woong; LEE Jeon-Kook; MOON Ji Won; ROH Jaesung; NAHM Sahm

文献

J-GLOBAL ID：201102262809087470 整理番号：11A0143247

高周波マグネトロンスパッタリングにより成長させたNiO薄膜の抵抗スイッチング特性に及ぼす周囲気体圧力の効果

Effects of Ambient Gas Pressure on the Resistance Switching Properties of the NiO Thin Films Grown by Radio Frequency Magnetron Sputtering

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資料名：
巻： 49 号： 12 ページ： 121103.1-121103.4 発行年： 2010年12月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

NiO膜を,NiOセラミックターゲットを用いて,高周波(RF)マグネトロンスパッタリングによりPt基板上に成長させた。[111]優先配向をもつ結晶NiO相が,100°C以上で成長させた膜で形成された。抵抗スイッチング挙動を,膜堆積の後に空気中あるいは周囲O₂中でアニールしたNiO膜で観測しなかった。しかしながら,周囲N₂中でアニールしたNiO膜は,抵抗スイッチング特性を示した。スイッチング電圧の安定性は,膜成長中の酸素対アルゴン比により大きな影響を受けた。特に,8.0mT酸素分圧かで成長させたNiO膜は,安定化したスイッチング電圧(V_set~1.45±0.20及びV_reset~0.62±0.09V)を示した。したがって,NiO膜の成長及びアニーリング中における周囲気体圧力の制御は,良好なスイッチング特性を得るために重要である。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般

引用文献 (30件)：

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