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J-GLOBAL ID：201102278722952861   整理番号：11A1099509

プラズマディスプレイパネルに対して用いたMgO薄膜の準安定脱励起スペクトロスコピーに関する測定条件の研究

Investigation of Measurement Conditions of Metastable De-excitation Spectroscopy of MgO Thin Films Used for Plasma Display Panels

著者 (16件)： YOSHINO K. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YOSHINO K. (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  MORITA Y. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORITA Y. (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  NAGATOMI T. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERAUCHI M. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERAUCHI M. (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  TSUJITA T. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSUJITA T. (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  NAKAYAMA T. (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI Y. (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  NISHITANI M. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NISHITANI M. (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  KITAGAWA M. (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI Y. (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TAKAI Y. (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Surface Analysis  (Journal of Surface Analysis)
巻： 18  号： 1  ページ： 13-25  発行年： 2011年06月 
JST資料番号： L3852A  ISSN： 1341-1756  CODEN： JSANFX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準安定脱励起スペクトロスコピー(MDS)の測定条件を調べて,プラズマディスプレイパネル(PDP)に対して用いたMgO薄膜の電子構造の研究に,MDSを適用した。MDS測定の間に,厚さ50nmのMgO薄膜での表面誘起正電荷は,低フラックスの一次準安定ヘリウム原子の使用により回避できることを示した。逐次のMDS測定で蓄積した正電荷は,keV電子照射で完全に除去されること,その際,keV電子照射で放出される二次電子の再分布による中性化が重要な役割を果たすこと,が分かった[同誌Vol.12,284(2005)]。PDP製造で使用する一過程であるMgO薄膜熱処理について,それに起因するMDSスペクトルの変化を調べた。その結果,バンドギャップと電子親和力との和で与えられるイオン化ポテンシャルが,加熱温度の上昇と共に低下することが分かった。MgO薄膜について,真空中での500°Cへの加熱は,表面の清浄化に効果的ではあるが,表面汚染の完全除去に対しては不十分であり,MgO薄膜表面の清浄化には反復スパッタリングと500°Cへの加熱が必要であった。厚さ50nmのMgO薄膜の清浄表面の電子構造は,厚さ500nmのそれと同一であり,この厚さはPDPで使用するMgO薄膜に対する典型的な値であることを記した。この結果は,帯電の効果が500nm厚の薄膜に対するよりも遥かに小さい厚さ50nmのMgO薄膜を,MgO薄膜表面の電子構造の評価に使用できることを明らかにした。本研究結果は,MDSが,PDPに使用するMgO薄膜の特性評価に対する効果的方法の一つであることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *酸化マグネシウム ,  パネル ,  脱励起 ,  スペクトロスコピー ,  *電子構造 ,  電子親和力 ,  電子照射 ,  1-10keV ,  バンドギャップ ,  二次電子放出 ,  イオン化ポテンシャル ,  温度依存性 ,  除去 ,  スパッタリング ,  熱処理 ,  Augerスペクトル
準シソーラス用語： プラズマディスプレイパネル ,  汚染除去

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

引用文献 (38件)：

• [1] H. Uchiike, K. Miura, N. Nakayama, T. Shinoda, and Y. Fukushima, IEEE Trans. Electron Dev. ED-23, 1211 (1976).
• [2] K. S. Moon, J. Lee, and K. W. Whang., J. Appl. Phys. 86, 4049 (1999).
• [3] H. S. Uhm, E. H. Choi, and J. Y. Lim, Appl. Phys. Lett. 80, 737 (2002).
• [4] T. Hirakawa, S. Goto, S. Zhang, and H. Uchiike, Proc. International Display Workshops (IDW) '02 (Hiroshima, Japan, 2002) p. 749.
• [5] Y. T. Matulevich and P. A. Zeijlmans van Emmicho- ven , Phys. Rev. B 69, 245414 (2004).

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマディスプレイパネル ,  MgO ,  薄膜 ,  脱励起 ,  スペクトロスコピー ,  測定条件 ,  研究