ダイヤモンドへのN<sub>2</sub>ビーム注入によるNV-N中心形成のための分子動力学シミュレーション

NAKAGAWA S. T.; KANDA H.; SAKAI T.; OHISHI M.; SAITO H.; NAKAGAWA S.; BANDEN Y.; BETZ G.

文献

J-GLOBAL ID：201102284075291920 整理番号：11A0774173

ダイヤモンドへのN₂ビーム注入によるNV-N中心形成のための分子動力学シミュレーション

Molecular Dynamic Simulation for the NV-N Center Formation by Means of N₂ Beam Implantation into a Diamond

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資料名：
巻： 36 号： 1 ページ： 79-82 発行年： 2011年03月
JST資料番号： L4468A ISSN： 1382-3469 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

量子コンピュータ(QC)は,究極のアルゴリズムであって,キュービット(量子ビット)が基本となっている。ダイヤモンドのNV(窒素,空孔)中心は,3つの状態ビットを形成することができ,量子ビット作製用の有望な候補材料である。本研究では,ダイヤモンド中に,N₂イオンビーム注入によりNV-N(窒素-空孔-窒素)と云われる特殊な欠陥中心を形成するための最適条件を検討した。NV-N中心の望ましい構造は,空孔に隣接した置換Nであり,第二の中心は,2つのN原子間の対間距離R_N-Nが約2nmnだけ第一のものから離れていると仮定し,凝集ポテンシャルを考慮して,ダイヤモンドに低エネルギーのN₂ビーム注入に対する経験的分子動力学シミュレーションを行った。入射エネルギー(E₀)は,E₀=100~200eV/原子で,温度T=10~1000Kで検討した結果,衝撃エネルギーE₀が,平均距離R_N-Nには決定的で,一方,温度Tは,NV中心の生成に決定的であることが分かった。温度(T)が高くなればなる程,NV中心の生成確率は高くなり,T=1000Kでは,約20%である。そして,R_N-N約2.0nmの理想的なNV-N中心を生成するための最適条件は,E₀>200eV/原子でT=1000Kであることが分かった。

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炭素とその化合物 , その他の物質の放射線による構造と物性の変化

引用文献 (14件)：

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ダイヤモンドへのN2ビーム注入によるNV-N中心形成のための分子動力学シミュレーション

ダイヤモンドへのN₂ビーム注入によるNV-N中心形成のための分子動力学シミュレーション