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J-GLOBAL ID：201102285986809524   整理番号：11A1874165

大容量第6世代IGBTモジュールの系列拡大

Expanded Lineup for High-Power 6th Generation IGBT Module Families

著者 (3件)： 山本拓也 (富士電機 松本工場) ,  吉渡新一 (富士電機 松本工場) ,  市川裕章 (富士電機 松本工場)
資料名： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
巻： 84  号： 5  ページ： 317-321  発行年： 2011年11月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 富士電機は,拡大を続ける風力発電や太陽光発電などの再生可能エネルギー分野に適用するため,大容量IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールの系列拡大を行っている。大容量IGBTモジュールは,第6世代「Vシリーズ」IGBTを搭載し,チップ最大接合温度175°Cにおける動作を保証するとともに,業界最高水準の低オン電圧と低スイッチング損失を達成した。また,超音波端子接合技術や高信頼性鉛フリーはんだ材の適用など最新のパッケージ技術を適用し,従来より高い信頼性を確保した。(著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  *回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス ,  スイッチング損失 ,  電流電圧特性 ,  信頼性 ,  超音波溶接
準シソーラス用語： パワーモジュール ,  *高信頼性 ,  超音波接合

分類 (1件)： 混成集積回路  (NC03163K)

引用文献 (5件)：

• (1)山本拓也ほか.新型大容量2in1 IGBTモジュール.富士時報.2010,vol.83,no.6,p.388-392.
• (2)西村孝司ほか.IGBTハイパワーモジュール.富士時報.2008,vol.81,no.6,p.390-394.
• (3)高橋孝太ほか.IGBTモジュール「Vシリーズ」の系列化.富士時報.2009,vol.82,no.6,p.380-383.
• (4)Morozumi, A. et al. Reliability of Power Cycling for IGBT Power Semiconductor Module. Conf. Rec. IEEE Ind. Appl. Cof.36th.2001.P.1912-1918.
• (5)木戸和優ほか.IGBTモジュール用超音波接合技術の開発(第一報).Conf.Rec.

タイトルに関連する用語 (6件)： 大容量 ,  世代 ,  IGBT ,  モジュール ,  系列 ,  拡大