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J-GLOBAL ID：201102289384434185   整理番号：11A0944041

SiドーピングAlGaNを使用する深紫外光源管の製作

Fabrication of Deep-Ultravioilet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN

著者 (7件)： SHIMAHARA Yuki (Mie Univ. Tsu, JPN) ,  MIYAKE Hideto (Mie Univ. Tsu, JPN) ,  HIRAMATSU Kazumasa (Mie Univ. Tsu, JPN) ,  FUKUYO Fumitsugu (Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN) ,  OKADA Tomoyuki (Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN) ,  TAKAOKA Hidetsugu (Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN) ,  YOSHIDA Harumasa (Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 4  号： 4  ページ： 042103.1-042103.2  発行年： 2011年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビーム励起のターゲットとしてSiドーピングAlGaN膜を使用する紫外(UV)光源管が製作された。SiドーピングAlGaNは低圧金属有機蒸気相エピタクシー(LP-NOVPE)によってAlN/サファイア基板上で成長させ,そしてその光学的性質は10KV電子ビーム(EB)によって評価された。発光強度はSiドーピングと成長条件の最適化によって著しく改善された。247nm深UV光が管から観測され,初期強さの50%発光出力までの発光管の寿命は100μAの電流での10kVのEB加速電圧でほぼ2000時間であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  ケイ素 ,  *ドーピング ,  *紫外線 ,  紫外光源 ,  *電子管 ,  放射強度 ,  エピタクシー ,  寿命 ,  光電流
準シソーラス用語： 気相エピタクシー ,  *深紫外線 ,  窒化ガリウムアルミニウム ,  *発光管 ,  発光強度

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (10件)：

• TANIYASU, Y. Nature. 2006, 441, 325
• HIRAYAMA, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 071901
• HIRAYAMA, H. Phys. Status Solidi C. 2009, 6, S474
• HIRAYAMA, H. Phys. Status Solidi A. 2009, 206, 1176
• BANAL, R. G. Phys. Status Solidi C. 2010, 7, 2111

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ドーピング ,  AlGaN ,  紫外光源 ,  製作