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J-GLOBAL ID：201102291428538131   整理番号：11A0101867

宇宙・民生のデュアルユースの半導体集積回路の開発と設計生産体制

Development and Manufacturing System of Large-Scale Integrated Circuits for Space & commercial Dual Use

著者 (4件)： 齋藤宏文 (宇宙航空研究開発機構) ,  廣瀬和之 (宇宙航空研究開発機構) ,  黒田能克 (三菱重工業) ,  石井茂 (三菱重工業)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 308(SANE2010 117-126)  ページ： 53-58  発行年： 2010年11月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 宇宙用途と民生用途のデュアルユースの半導体集積回路の技術的開発と設計生産体制が完成したので報告する。0.2μm完全空乏型SOIプロセスをベースに,回路技術により放射線耐性を付加させた。宇宙用途高温耐性や信頼性が必要な建設機器や,自動車などとの共用が考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *電子技術 ,  消費財 ,  汎用性 ,  *半導体集積回路 ,  半導体プロセス ,  耐放射線性 ,  耐熱性 ,  信頼性 ,  建設機械部品 ,  *カーエレクトロニクス ,  消費電力 ,  原価低減
準シソーラス用語： SOI ,  *宇宙船エレクトロニクス ,  低コスト化 ,  低消費電力 ,  放射線耐性 ,  民生品

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  宇宙飛行体  (QK08000Y) ,  電装品  (QG03070C)

引用文献 (4件)：

• HIROSE, K. SEU resistance in advanced SOI-SRAMs fabricated by commercial technology using a rad-hard circuit design. IEEE Transactions on Nuclear Science. 2002, 496, 2965-2968
• HIROSE, K. Analysis of body-tie effects on SEU resistance of advanced FD-SOI SRAMs through mixed-mode 3-D simulations. IEEE Transactions on Nuclear Science. 2004, 516, 3349-3353
• YANAGAWA, Y. Direct measurement of SET pulse widths in 0.2-!m SOI logic cells irradiated by heavy ions. IEEE Transactions on Nuclear Science. 2006, 536, 3575-3578
• YANAGAWA, Y. Experimental verification of scan-architectured-based evaluation technique of SET and SEU soft-error rates at each flip-flop in logic VLSE systems. IEEE Transactions on Nuclear Science. 2009, 564, 1958-1963

タイトルに関連する用語 (5件)： 宇宙 ,  デュアルユース ,  半導体集積回路 ,  開発 ,  設計