InGaO<sub>3</sub>’(ZnO)<sub>5</sub>バッファ層上への(111)配向Si膜の固相エピタキシャル成長

CHEN Tao; WU Meng-Yue; ISHIHARA Ryoichi; NOMURA Kenji; NOMURA Kenji; KAMIYA Toshio; HOSONO Hideo; HOSONO Hideo; BEENAKKER C. I. M.

文献

J-GLOBAL ID：201102292167491465 整理番号：11A1617976

InGaO₃’(ZnO)₅バッファ層上への(111)配向Si膜の固相エピタキシャル成長

Solid-phase epitaxial growth of (111)-oriented Si film on InGaO₃(ZnO)₅ buffer layer

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資料名：

Journal of Materials Science. Materials in Electronics (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)

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巻： 22 号： 8 ページ： 920-923 発行年： 2011年08月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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本論文では,950°Cでの固相ヘテロエピタキシャル成長におけるSi膜の配向を制御するために,種層としてInGaO₃(ZnO)₅(c-IGZO)単結晶バッファ層の(0001)面を用いた。20%の大きな格子不適合にもかかわらず,電子後方散乱回折(EBSD)および透過型電子顕微鏡(TEM)測定は,(111)配向Si層がc-IGZO(0001)面上にエピタキシャル成長したことを実証し,そのことはドメイン整合エピタキシーにより説明される。大きな面積にわたって高度に一様な(111)配向Si TFTを作るために,エキシマレーザアニールを用いることにより,そのプロセスは低温プロセスに向けてさらに開発することができる。Copyright 2010 The Author(s) Translated from English into Japanese by JST.

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