SiO<sub>2</sub>表面の銅汚染物の化学状態及びppmオーダのHCN水溶液によるそれらの除去

TAKAHASHI Masao; HIGASHI Yuhko; OZAKI Shinji; KOBAYASHI Hikaru

文献

J-GLOBAL ID：201102293539493768 整理番号：11A1327963

SiO₂表面の銅汚染物の化学状態及びppmオーダのHCN水溶液によるそれらの除去

Chemical States of Copper Contaminants on SiO₂ Surfaces and Their Removal by ppm-order HCN Aqueous Solutions

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資料名：
巻： 158 号： 8 ページ： H825-H829 発行年： 2011年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SiO₂表面の銅汚染物の除去を調べた。アンモニア水溶液を加えてpHを10に調整した1ppmの硝酸銅(Cu(NO₃)₂))水溶液にSiO₂/Si試料を室温で10分間浸漬してCu汚染試料を作製した。アンモニア水を加えてpHを10に調整した濃度2700及び2.7ppmの室温HCN水溶液にCu汚染SiO₂試料を浸漬した。表面のCu汚染物の化学状態及び濃度をX線吸収微細構造分光(XAFS)及び表面に対して入射角0.05°の全反射蛍光X線分析(TXRF)により調べた。Cu汚染物は内側ではCu₂O様の種及び外側ではCu(OH)₂様の種から成るものであった。CN^-イオンは外側のCu(OH)₂様の種と高率で反応してCu汚染物を速やかに除去したが,Cu₂O種との反応ははるかに低率であった。

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固体デバイス製造技術一般

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SiO2表面の銅汚染物の化学状態及びppmオーダのHCN水溶液によるそれらの除去

SiO₂表面の銅汚染物の化学状態及びppmオーダのHCN水溶液によるそれらの除去