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J-GLOBAL ID：201102294400644580   整理番号：11A1320601

深サブギャップ欠陥の除去により作製した高安定非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ

Highly stable amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors produced by eliminating deep subgap defects

著者 (3件)： NOMURA Kenji (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Mail Box S2-13, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., Mail Box R3-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  HOSONO Hideo (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Mail Box S2-13, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 5  ページ： 053505  発行年： 2011年08月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一定電流ストレス及び負バイアス光照射ストレスに耐える高安定非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)薄膜トランジスタを,Y₂O₃不動態化層を形成することにより実現した.最近の光電子放出研究は,価電子バンドトップ上に位置する深欠陥が,a-IGZOチャネルの表面層において,~2nmの深さまで高密度に形成されることを明らかにした。ここに,これらの深欠陥が,a-IGZO TFTの不安定性の原因であり,この不安定性を,a-IGZOの表面から深サブギャップ欠陥を効果的に除去する,Y₂O₃による不動態化により,大きく改善できることを述べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  欠陥 ,  *ストレス ,  光照射 ,  非晶質 ,  安定性 ,  *酸化イットリウム
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  電流ストレス ,  不動態化膜

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブギャップ ,  欠陥 ,  作製 ,  非晶質 ,  In-Ga-Zn-O ,  薄膜トランジスタ