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J-GLOBAL ID：201102295060600570   整理番号：11A0142859

SiC-JFETを用いた誘導加速シンクロトロン用高速・高電圧スイッチング電源の開発

Development of a High Repetition Rate and High Voltage Switching Power Supply with a SiC-JFET for an Induction Synchrotron

著者 (7件)： 伊勢慶一 (岩手大) ,  高木浩一 (岩手大) ,  岡村勝也 (高エネルギー加速器研究機構) ,  和気正芳 (高エネルギー加速器研究機構) ,  高山健 (高エネルギー加速器研究機構) ,  大沢裕 (サンエー) ,  JIANG Weihua (長岡技科大)
資料名： 電気学会プラズマ研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： PST-10  号： 108-119.121-129  ページ： 81-86  発行年： 2010年12月16日 
JST資料番号： Z0951A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パルス電圧を用い,加速と閉じ込めを分離することにより,長大なバンチ(スーパーバンチ)を形成できる,誘導加速シンクロトロンへの適用を目指して,新たに開発したSiC-JFET素子の繰り返しパルス通電特性を評価した。1MHz,1kV,27Aの連続スイッチング動作を確認し,これは従来のMOSFETをはるかに凌駕する性能を有していることを実証した。

シソーラス用語： *シンクロトロン ,  *スイッチングレギュレータ ,  *接合形FET ,  *炭化ケイ素 ,  ビームバンチング
準シソーラス用語： *スイッチング電源 ,  JFET ,  スイッチング速度

分類 (2件)： 円形加速器  (BE02020X) ,  電源回路  (NC05060Q)

引用文献 (9件)：

• K. Takayama and J. Kishiro: “Induction Synchrotron”, Nucl. Instr. and Meth. A, Vol.451, pp. 304-317(2000-8)
• 高山健・下崎義人・木代純逸:「誘導加速シンクロトロンの実証とその応用」, 日本物理学会誌, Vol.59, No.9, pp. 601-610(2004-9)
• M. Wake, Y. Arakida, K. Koseki, Y. Shimosaki, K. Takayama, K. Torikai, W. Jiang, K. Nakahiro, A. Tokuchi and A. Sugiyama: “Switching Power Supply for Induction Accelerators”, Proceedings of PAC07, Al-buquerque, New Mexico, USA, MOPAN042, pp. 251-253(2007-6)
• K. Koseki, M. Wake and K. Takayama: “Significance of Isolation Impedance in a Solid-state Power Modulator”, Nucl. Instr. and Meth. A, Vol.554, pp. 64-74(2005-12)
• K. Koseki and Y. Shimosaki: “Parasitic Resonance in a Solid-state Pulsed Power Modulator”, Nucl. Instr. and Meth. A, Vol.556, pp. 24-30(2006-1)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  JFET ,  誘導 ,  加速 ,  シンクロトロン ,  高電圧 ,  スイッチング電源 ,  開発