文献

J-GLOBAL ID：201102299202308940   整理番号：11A0571793

背面暴露を使ってガラス基板上に自己-整列した金属二重ゲート低温多結晶Si TFT

Self-Aligned Metal Double-Gate Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors on Glass Substrate Using Back-Surface Exposure

著者 (5件)： HARA Akito (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  SATO Tadashi (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  KONDO Kenji (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  HIROSE Kenta (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 2  ページ： 021401.1-021401.4  発行年： 2011年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶シリコン(ボリ-Si)薄膜のデバイス構造と品質を改善することは,ポリ-Si薄膜トランジスター(TFT)の性能を強化するために重要である。理想的なポリ-Si TFTを実現するのにマルチゲート構造を,用いる可能性がある。自己-整列金属二重ゲート構造(すなわち金属トップおよび底ゲート構造)を大グレーンボリ-Si薄膜と結合した。それから,ガラス基板上に550°Cで高性能nチャネル(n-ch)とp-チャンネル(p-ch)低温ポリ-Si TFTを作った。n-chとp-ch TFTの名目フィールド-効果移動度は,それぞれ638と156cm² V^-1s^-1であり,そして,両方のTFTのs-値は,ほぼ130mV/decであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ガラス ,  基板 ,  *自己集合 ,  多結晶 ,  ケイ素 ,  *薄膜トランジスタ ,  チャネル ,  ゲート【半導体】 ,  移動度 ,  曝露

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• A. O. Adan, S. Ono, H. Shibayama, and R. Miyake: IEDM Tech. Dig., 1990, P. 399.
• A. O. Adan, K. Suzuki, H. Shibayama, and R. Miyake: VLSI Tech. Dig., 1990, p. 19.
• A. Kumar K. P., J. K. O. Sin, C. T. Nguyen, and P. K. Ko: IEEE Trans. Electron Devices 45(1998)2514.
• K. Makihira, K. Nakagawa, and T. Asano: AM-LCD Tech. Dig., 2001, p. 243.
• S. Zhang, R. Han, J. K. O. Sin, and M. Chan: IEEE Electron Device Lett.22(2001)530.

タイトルに関連する用語 (9件)： 背面 ,  暴露 ,  ガラス基板 ,  自己 ,  整列 ,  二重ゲート ,  低温 ,  多結晶Si ,  TFT