特許

J-GLOBAL ID：201103000531419131

金属膜の形成方法

発明者： 長野 賢三 ,  中村 聡 ,  小松 孝 ,  樋口 靖 ,  田熊 康宏
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (6件)： 清水 善廣 ,  阿部 伸一 ,  辻田 幸史 ,  田代 作男 ,  町田 悦夫 ,  打揚 洋次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183563
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011631
特許番号：特許第4315403号
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 反応容器中に設けたウエハーを加熱し、ガス状のTa含有有機金属前駆体(但し、TaとNとの二重結合(Ta=N)を含む前駆体)であるC2H5N=Ta[N(C2H5)2]3 、ガス状のTa含有有機金属前駆体(但し、TaとNとの二重結合(Ta=N)を含まない前駆体)であるTa[N(C2H5)2]4 、アンモニアガス及びキャリアガスを反応容器中に導入して、所定の圧力及び温度で、前記C2H5N=Ta[N(C2H5)2]3 と前記Ta[N(C2H5)2]4 から成るTa含有有機金属前駆体とアンモニアとを反応させ、TaNx(但し、式中、xは0.7〜0.9である。)からなる膜を該ウエハー上に形成する金属膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 障壁金属膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280932   出願人：三星電子株式会社
• 導電性Ta系膜形成材料、導電性Ta系膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにULSI
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-070753   出願人：株式会社トリケミカル研究所
• 有機アミノタンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用溶液原料並びにこれから作られる窒化タンタル膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-006237   出願人：三菱マテリアル株式会社
• パターン珪素基板に対するアルミニウムの選択蒸着法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-109913   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド

審査官引用 (1件)

• 障壁金属膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280932   出願人：三星電子株式会社