半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：児玉俊英 , 大岩増雄 , 竹中岑生 , 村上啓吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-317647
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184804
特許番号：特許第3559013号
出願日： 2001年10月16日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】金属超微粒子の吹き付けにより表面にバンプ電極が形成された半導体基板を、貫通孔を有し該貫通孔内から接続される配線層が形成された搭載基板に接合して成る半導体装置において、上記半導体基板表面のバンプ電極が、上部へ行く程断面積が減少して細くなる上層部と、この上層部の底面と等しいか或いは小さい断面を持つ柱状の下層部とで構成され、上記貫通孔の開口が上記バンプ電極上層部の底面よりも小さく、このバンプ電極上層部を上記貫通孔内に差し入れて導電性接合材により接合することにより上記搭載基板に上記半導体基板が接合されることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：