特許
J-GLOBAL ID：201103001093113888

配線基板およびその製造方法ならびに半導体モジュール

発明者：
江後田 和巳

江後田 和巳 について

, 
岡本 健次

岡本 健次 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (2件)： 河野 広明 ,  岡本 正之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-287185
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129731
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】絶縁性と放熱性を高めた絶縁層を備える配線基板を低コストで実現する。【解決手段】配線基板100を、基材となるベース金属部材1と、酸化アルミニウムを含むセラミックス微粒子を原料粉末としてベース金属部材の面に溶射して形成された絶縁層2とによって作製する。絶縁層のX線回折法の回折強度から求まる結晶変換指数が所定の値以上、好ましくは、0.6以上とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基材となるベース金属部材と、 少なくとも酸化アルミニウムを含むセラミックス微粒子を原料粉末として溶射することにより前記ベース金属部材のいずれかの面に形成された絶縁層と を備えてなる配線基板であって、 次式に従って算出される前記絶縁層の結晶変換指数が所定の値以上である 配線基板。
IPC (4件)：
H05K 1/05 ,  H01L 23/36 ,  H05K 3/44 ,  H01L 23/15
FI (4件)：
H05K1/05 A ,  H01L23/36 C ,  H05K3/44 A ,  H01L23/14 C
Fターム (11件)：
5E315AA03 ,  5E315BB01 ,  5E315BB11 ,  5E315CC07 ,  5E315DD13 ,  5E315GG01 ,  5E315GG03 ,  5F136BB04 ,  5F136BB05 ,  5F136FA14 ,  5F136GA40
引用特許：
審査官引用 (6件)
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