特許
J-GLOBAL ID：201103001588992160
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-167915
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023587
出願日： 2009年07月16日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】発熱量の大きな第1半導体チップの近傍にそれより発熱量の小さい第2半導体チップを配置する場合であっても、第1半導体チップの熱を十分に放熱できると共に、第1半導体チップからの熱の影響を受けることなく第2半導体チップの信頼性が確保される半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板10と、配線基板10に実装された第1半導体チップ20と、その横方向の配線基板10に実装された第2半導体チップ30と、第1半導体チップ20に接続され、第1半導体チップ20上から第2半導体チップ30の上方に延在して配置された第1放熱手段40と、第2半導体チップ30に接続され、第1放熱手段40の下側から外側に、第1放熱手段40に非接触の状態で延在して配置された第2放熱手段50とを含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
配線基板と、
前記配線基板に実装された第1半導体チップと、
前記第1半導体チップの横方向の前記配線基板に実装された第2半導体チップと、
前記第1半導体チップに接続され、前記第1半導体チップ上から第2半導体チップの上方に延在して配置された第1放熱手段と、
第2半導体チップに接続され、前記第1放熱手段の下側から外側に、前記第1放熱手段に非接触の状態で延在して配置された第2放熱手段とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/473
, H01L 23/36
, H01L 25/04
, H01L 25/18
H01L23/46 Z
, H01L23/36 D
, H01L25/04 Z
5F136BA00
, 5F136BC02
, 5F136BC07
, 5F136CB06
, 5F136DA43
, 5F136FA03
, 5F136FA23
