特許

J-GLOBAL ID：201103001595547326

燐化物パッシベートゲルマニウム基板を有する多層半導体構造

発明者： アーマー、ジェームス・エイチ ,  カイ、リー ,  ハッダド、モラン ,  キャビッチ、ブルース・ティー ,  カラム、ナッサー・エイチ
出願人/特許権者： ザ・ボーイング・カンパニー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-608449
特許番号：特許第3389218号
出願日： 2000年03月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の表面と、バルクのゲルマニウム領域と、第1の表面に隣接した燐ドープされたゲルマニウム領域との2つの領域を有するゲルマニウム基板と、ゲルマニウム基板の第1の表面を覆ってそれと接触している燐化物材料の層とを具備していることを特徴とする多層半導体構造。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 化合物半導体ウェハ、化合物半導体装置及び化合物半導体太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-256368   出願人：日立電線株式会社
• ゲルマニウム上にヒ化ガリウムの半導体ヘテロ構造を製造するための改良された方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-114787   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 特開平3-266439
  
• 特開昭59-132119
  
• 特開昭58-154274
  
• 高効率ソーラセルとその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-522630   出願人：サンディアコーポレーション