半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182091
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082287
特許番号：特許第4198271号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも一つのメモリセルブロックを有するバンクを複数備えた半導体記憶装置において、バースト長が所定値以下の時に単一のメモリセルブロックを選択して活性化し、所定値より長い値の時にバースト長に応じた複数のバンクでメモリセルブロックの一つを活性化するブロック活性化回路と、外部からのアドレス信号に基づいて特定のバンクを選択するアドレスデコーダと、を有し、データ読み出し動作において、前記ブロック活性化回路は、バースト長が所定値以下の場合には、単一のメモリセルブロックを選択し、バースト長が所定値より長い場合には、複数のバンクを交互に連続して選択し、選択したバンクでメモリセルブロックの一つを選択することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ( 200 6.01) , G11C 11/401 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 362 H , G11C 11/34 362 C , G11C 11/34 362 Z

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体記憶装置及びシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-346672 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-193394
クロック同期型半導体記憶装置およびそのアクセス方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-085489 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (4件)

半導体記憶装置及びシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-346672 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-193394
特開平2-193394

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