フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-172420
公開番号（公開出願番号）：特開2011-215657
出願日： 2011年08月05日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】遮光膜の深さ方向でのドライエッチング速度を最適化させ良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。【解決手段】本発明のフォトマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜を有し、該遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、上記遮光膜の透光性基板側におけるドライエッチング速度を、遮光膜の表面側におけるドライエッチング速度よりも遅くさせるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、前記遮光膜の透光性基板側におけるドライエッチング速度を、前記遮光膜の表面側におけるドライエッチング速度よりも遅くさせるようにしたことを特徴とするフォトマスクブランク。

IPC (1件)：

G03F 1/08

FI (1件)：

G03F1/08 G

Fターム (4件)：

2H095BB03 , 2H095BC05 , 2H095BC08 , 2H095BC24

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-198156
特開昭61-198156
特開平3-043736

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