特許
J-GLOBAL ID：201103001944752412
連続供給単一バブラーを使用するシリコンのエピタキシャル堆積のための供給システム及び方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 宍戸 嘉一
, 竹内 英人
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126231
公開番号（公開出願番号）：特開平11-349397
特許番号：特許第4515552号
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 キャリアガスを液体化学物質を通して泡立たせることにより、気体化学物質を供給する、供給システムにおいて、
前記液体化学物質を保持する金属のチャンバ、キャリアガスを前記チャンバに供給する少なくとも1個の入口管、及び前記気体化学物質を供給する1個の出口管を有する単一のバブラーと、
前記チャンバに前記液体化学物質を給送する液体化学物質供給ラインと、
前記バブラーを重量計測し、前記計測重量に対応する出力信号を生成する、重量計測装置と、
前記出力信号に対応して、前記チャンバ中の前記液体化学物質のあらかじめ選択された液面の高さに充填してそれを連続的に維持する、前記チャンバ及び前記供給ラインと動作的に結合した、液体化学物質コントローラとを有し、
前記化学物質は、トリクロロシランであることを特徴とする供給システム。
IPC (3件)：
C30B 25/14 ( 200 6.01)
, C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C23C 16/448 ( 200 6.01)
C30B 25/14
, C30B 29/06 504 C
, C23C 16/448
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
