特許
J-GLOBAL ID：201103002036192735
半導体製造方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
机 昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172257
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007029
特許番号：特許第3398688号
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体製造装置の処理履歴等に基づいてウェハーに対して正常な処理が行われた際の処理時間を割り出し、その処理時間を基準値として設定し、処理開始時から処理終了に至るプラズマ発光強度の変化を検出してウェハー処理の実働処理時間を測定し、その値を前記基準値と比較し、その差分が設定値範囲内である場合に、前記実働処理時間を基準実働処理時間として設定し、前記ウェハーの処理に引続いて行われる各ウェハーについての処理の実働処理時間をそれぞれ測定して、前記基準実働処理時間と比較し、その差分が設定値範囲外にあり、実働処理時間がウェハーの処理に不足している場合に、前記実働処理時間に追加処理時間を追加して、前記ウェハーについての処理を継続させることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/02
, H01L 21/3065
H01L 21/205
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/302 103
