量子箱の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236669
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068733
特許番号：特許第3773713号
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくともインジウムを含む窒化物系半導体層を形成し、前記窒化物系半導体層を水素を含むガスに晒すことによりエッチングし、エッチングされずに残った前記窒化物系半導体層の領域から少なくともインジウムを含む窒化物系半導体からなる量子箱を形成する量子箱の形成方法であって、前記インジウムを含む窒化物系半導体層を、基板表面に対して上下方向に延びる方向に格子欠陥が存在するように形成して前記水素を含むガスに晒すことにより前記窒化物系半導体層の格子欠陥が多い領域をエッチングし、エッチングされずに残った前記窒化物系半導体層の格子欠陥の少ない領域から少なくともインジウムを含む窒化物系半導体からなる量子箱を形成することを特徴とする、量子箱の形成方法。

IPC (1件)：