特許
J-GLOBAL ID:201103002176053492

電界電子放出装置の製造方法、及びそれにより作製される電界電子放出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 後藤 洋介 ,  池田 憲保
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-098468
公開番号(公開出願番号):特開2002-140979
特許番号:特許第3614377号
出願日: 2001年03月30日
公開日(公表日): 2002年05月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】基板上に形成されたカーボンナノチューブ膜上の所定領域に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程で前記カーボンナノチューブ膜上の前記所定領域に前記保護膜が形成された状態で加熱処理,酸性又は塩基性の薬品を用いた表面処理,ドライエッチング処理,プラズマ処理のうちの少なくとも一つの処理を行う処理工程と、前記保護膜を除去して当該領域のカーボンナノチューブ膜を露出する工程とを含むことを特徴とする電界電子放出装置の製造方法。
IPC (2件):
H01J 9/02 ,  H01J 1/304
FI (2件):
H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F
引用特許:
審査官引用 (5件)
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